MOSFET 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified Pack of 100 SQ1912EH-T1_GE3

MOSFET 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified Pack of 100 (SQ1912EH-T1_GE3): Industrial & Scientific. Buy MOSFET 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified Pack of 100 (SQ1912EH-T1_GE3): MOSFET - ✓ FREE DELIVERY possible on eligible purchases. Manufacturer: Vishay 。 Product Category: MOSFET 。 RoHS: Y 。 Technology: Si 。 Mounting Style: SMD/SMT 。 Features: 。 Package / Case: SOT-363-6 。 Number of Channels: 2 Channel 。 Transistor Polarity: N-Channel 。 Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V 。 Id - Continuous Drain Current: 800 mA 。 Rds On - Drain-Source Resistance: 200 mOhms。 200 mOhms 。 Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 450 mV 。 Vgs - Gate-Source Voltage: 12 V 。 Qg - Gate Charge: 1.15 nC。 1.15 nC 。 Minimum Operating Temperature: - 55 C 。 Maximum Operating Temperature: + 175 C 。 Pd - Power Dissipation: 1.5 W 。 Configuration: Dual 。 Channel Mode: Enhancement 。 Qualification: AEC-Q101 。 Tradename: TrenchFET 。 Packaging: Cut Tape 。 Packaging: MouseReel 。 Packaging: Reel 。 Transistor Type: 2 N-Channel 。 Brand: / Siliconix 。 Forward Transconductance - Min: 2.6 S。 2.6 S 。 Fall Time: 17 ns。 17 ns 。 Product Type: MOSFET 。 Rise Time: 21 ns。 21 ns 。 Factory Pack Quantity: 3000 。 Subcategory: MOSFETs 。 Typical Turn-Off Delay Time: 19 ns。 19 ns 。 Typical Turn-On Delay Time: 3 ns。 3 ns 。 Unit Weight: 0.000265 oz。 。 。 。

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